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等離子增強化學氣相沉積系統

簡要(yao)描述:等離子增強化學氣相沉積系統
配有Plasma實(shi)現等(deng)離子增強,滑軌式設(she)計(ji)在操作時可將實(shi)驗需要(yao)的(de)(de)恒定高溫(wen)直接推到(dao)樣(yang)(yang)(yang)品處(chu),使(shi)樣(yang)(yang)(yang)品能得(de)到(dao)一個快速(su)的(de)(de)升(sheng)溫(wen)速(su)度(du),同樣(yang)(yang)(yang)也(ye)可將高溫(wen)的(de)(de)管式爐直接推離樣(yang)(yang)(yang)品處(chu),使(shi)樣(yang)(yang)(yang)品直接暴(bao)露在室溫(wen)環境下,得(de)到(dao)快速(su)的(de)(de)降溫(wen)速(su)率。選配氣氛微調(diao)裝置(zhi),可準確的(de)(de)控制反應(ying)腔體(ti)內部(bu)的(de)(de)氣體(ti)壓力(li)帶刻(ke)度(du)的(de)(de)調(diao)節閥對(dui)于做低壓CVD非常(chang)簡(jian)單實(shi)用,工藝(yi)重復性好,對(dui)于石(shi)墨烯(xi)生長工藝(yi)非常(chang)合適,也(ye)適用于要(yao)求(qiu)快速(su)升(sheng)降溫(wen)的(de)(de)CV

  • 產品型號:TF1200-PECVD型
  • 廠(chang)商性質:經銷商
  • 更(geng)新(xin)時間:2018-11-06
  • 訪  問(wen)  量:2440
詳細介紹
產地類別國產

TF1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統(tong)

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor

Deposition)  等離子體增強化學氣相沉積法

等離子增強化學氣相沉(chen)積系統

設備介紹: 

本設備(bei)是借(jie)助射頻等使(shi)含有(you)薄膜組成(cheng)原子(zi)的氣體(ti)電離,在(zai)局部形成等離子體(ti),而等離子體(ti)化學活性(xing)很(hen)強,很(hen)容易發生反(fan)應(ying),在(zai)基片(pian)上沉積出所期望的薄膜。為了(le)使化學反(fan)應(ying)能在(zai)較(jiao)低的溫度下進(jin)行(xing),利用(yong)了(le)等離子體(ti)的活性(xing)來促進(jin)反(fan)應(ying),因而這(zhe)種CVD稱為等離子體(ti)增強化學氣相(xiang)沉積(PECVD)。

產(chan)品簡介

此款設備配有Plasma實現等離子增(zeng)強,滑軌式(shi)設計在(zai)(zai)操作時(shi)可(ke)將(jiang)實驗需要的恒定高溫(wen)(wen)直接(jie)推(tui)到樣(yang)品處,使樣(yang)品能得(de)到一個快速(su)的升溫(wen)(wen)速(su)度,同樣(yang)也可(ke)將(jiang)高溫(wen)(wen)的管式(shi)爐直接(jie)推(tui)離樣(yang)品處,使樣(yang)品直接(jie)暴露在(zai)(zai)室(shi)溫(wen)(wen)環境下,得(de)到快速(su)的降溫(wen)(wen)速(su)率。并(bing)可選配氣氛(fen)微調裝置,可準確的(de)控制反應(ying)腔體(ti)內部的(de)氣體(ti)壓(ya)力,帶刻度(du)的(de)調節(jie)閥(fa)對于(yu)做(zuo)低壓(ya)CVD非常簡(jian)單(dan)實用,工藝重復性好對于石墨烯生長工藝非常合適(shi),也同樣適(shi)用于要求快(kuai)速升(sheng)降溫(wen)的CVD實驗(yan)。

主(zhu)要組成系(xi)統及特點:

 

本設備主要由(you)管式加熱爐體,真空系統,質子流量(liang)供氣系統,射頻等離子源,石英反應腔室等部件組(zu)成(cheng)。

要特點:

    1、通過射頻電源(yuan)把石英真空室內的(de)氣體(ti)變為離子(zi)態。

    2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積(ji)所需的溫度(du)更低。

    3、可以通(tong)過射(she)頻電源的頻率來控(kong)制所沉積薄膜(mo)的應力大小。

    4、PECVD比普通CVD進(jin)行化學氣(qi)相沉積速率(lv)高、均勻性好、*性和穩定性高。

    5、廣(guang)泛應(ying)用于:各種(zhong)薄(bo)膜(mo)的(de)生長(chang),如(ru):SiOx, SiNx, SiOxNy 和無(wu)定(ding)型硅(gui)(a-Si:H) 等。

 

 

開啟式真(zhen)空管式爐技術參數

 

 

 

 

石英管尺寸

L1400mm  *(根據(ju)需求選(xuan)擇不同(tong)直徑的(de)石英管作為反應室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等(deng)規格可選(xuan)。)

加熱元件

摻(chan)鉬(mu)鐵鉻(ge)鋁(lv)合金電阻絲

測溫(wen)元(yuan)件

K型(xing)熱(re)電偶

加熱(re)區長度

400mm  

恒溫(wen)區長度(du)

200mm

工作溫度(du)

≤1100℃

控溫模式(shi)

模糊PID控制(zhi)和(he)自整(zheng)定調節,智(zhi)能化30段可編(bian)程控制(zhi),具有(you)超溫和(he)斷偶報警功能

控溫精度(du)

±1℃

升(sheng)溫速率

≤20℃/min

電功率

AC220V/50HZ/3KW

質(zhi)量供氣系統(tong)技(ji)術參(can)數(根(gen)據需求(qiu)選擇多路(lu)(lu)(lu)質(zhi)子流量供氣系統(tong)。有兩(liang)路(lu)(lu)(lu)GQ-2Z,三路(lu)(lu)(lu)GQ-2Z,四路(lu)(lu)(lu)GQ-2Z,五路(lu)(lu)(lu)GQ-2Z或(huo)更多路(lu)(lu)(lu)供選擇。)

 

 

 

 

 

外形(xing)尺寸

600x600x600mm

標準(zhun)量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(ArN2

數顯壓力表測量范(fan)圍(wei)

-0.1Mpa~0.15Mpa

極限壓(ya)力

3MPa

針閥

316不銹鋼

截止閥

Φ6mm 316不銹鋼針閥(fa)

電功率

AC220V/50HZ/20W

響應時(shi)間

氣(qi)特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

準確(que)度

±1.5%

線性(xing)

±0.5~1.5%

重復精度

±0.2%

接(jie)口(kou)

Φ6,1/4''

真(zhen)空(kong)系(xi)統技術參數(根據需求選擇不(bu)同真(zhen)空(kong)效果的(de)真(zhen)空(kong)系(xi)統。有DZK10-1(極(ji)限(xian)真(zhen)空(kong)0.1Pa),GZK10-3(極(ji)限(xian)真(zhen)空(kong)0.001Pa),以及進口高真(zhen)空(kong)機(ji)組(極(ji)限(xian)真(zhen)空(kong)0.0001Pa)供選擇。)

 

 

 

 

 

外型尺寸(cun)

600×600×600mm

工(gong)作電(dian)電(dian)壓

220V±10%  50~60HZ

功率

400W

抽氣速率(lv)

4Ls

極限真(zhen)空

4X10-2Pa

實驗(yan)真空(kong)度

1.0X10-1Pa

容(rong)油量(liang)

1.1L

進氣(qi)口口徑

KF25

排氣口口徑(jing)

KF25

轉(zhuan)速

1450rpm

射(she)(she)頻(pin)電(dian)源(根(gen)據需求選擇強度不同的射(she)(she)頻(pin)電(dian)源。有(you)DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功(gong)率的射(she)(she)頻(pin)電(dian)源供選擇)

 

信(xin)號頻(pin)率

13.56 MHz±0.005%

功率輸(shu)出(chu)范圍

5-300W   5W-500W可選(xuan)

最大反射功(gong)率

200W

射頻輸(shu)出接口

50 Ω, N-type, female

功率(lv)穩(wen)定度

±0.1%

諧波分量

≤-50dbc

供電(dian)電(dian)壓

單相交流(187V-253V) 頻率(lv)50/60HZ

整機(ji)效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強制風冷

 

艾科(ke)迅部分(fen)客戶(CVD及(ji)PECVD及(ji)管式爐系列)

等離子(zi)增強化學氣相(xiang)沉積系統

常見PECVD系統(tong)組合

   1. 1200度(du)60滑(hua)軌式(shi)(shi)微型管式(shi)(shi)爐,低真空系統(tong),四路質子流量供氣系統(tong),300W射頻電源

    TF1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300

   2. 1200度60滑(hua)軌式(shi)管式(shi)爐(lu),低真空(kong)系統,四(si)路質子流量供氣系統,500W射頻電(dian)源

    TF1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   3. 1200度(du)60雙溫區滑軌式管式爐(lu),低真空系(xi)(xi)統(tong),四(si)路質子(zi)流量供(gong)氣系(xi)(xi)統(tong),500W射頻電源

    TF1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   4. 1200度60三溫區滑軌式(shi)管式(shi)爐,低真空系(xi)統(tong),四路質子流量供氣系(xi)統(tong),500W射頻電(dian)源

    TF1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

   5. 1200度60微(wei)型預(yu)熱爐,1200度60滑軌式管式爐,低真空系(xi)統(tong),四路質(zhi)子流量供氣系(xi)統(tong),500W射(she)頻(pin)電源

    TF1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500

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